三极管开关原理与场效应管的开关原理|技术分享-尊龙凯时手机版

bjt的开关工作原理：

对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流控制大电流。假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。
所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。

如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。在这里，ube就是小水流，uce就是大水流，人就是输入信号。当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。

如果水流处于可调节的状态，这种情况就是三极管中的线性放大区。如果那个小的阀门开启的还不够，不能打开大阀门，这种情况就是三极管中的截止区。如果小的阀门开启的太大了，以至于大阀门里放出的水流已经到了它极限的流量，这种情况就是三极管中的饱和区。但是你关小小阀门的话，可以让三极管工作状态从饱和区返回到线性区。

如果有水流存在一个水库中，水位太高（相应与uce太大），导致不开阀门江水就自己冲开了，这就是二极管的反向击穿。pn结的击穿又有热击穿和电击穿。当反向电流和反向电压的乘积超过pn结容许的耗散功率，直至pn结过热而烧毁，这种现象就是热击穿。电击穿的过程是可逆的，当加在pn结两端的反向电压降低后，管子仍可以恢复原来的状态。电击穿又分为雪崩击穿和齐纳击穿两类，一般两种击穿同时存在。电压低于5－6v的稳压管，齐纳击穿为主，电压高于5－6v的稳压管，雪崩击穿为主。电压在5－6v之间的稳压管，两种击穿程度相近，温度系数最好，这就是为什么许多电路使用5－6v稳压管的原因。

在模拟电路中，一般阀门是半开的，通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。没有信号的时候，水流也会流，所以，不工作的时候，也会有功耗。

而在中，阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候，阀门是完全关闭的，没有功耗。比如用单片机外界三极管驱动数码管时，确实会对单片机管脚输出电流进行一定程度的放大，从而使电流足够大到可以驱动数码管。但此时三极管并不工作在其特性曲线的放大区，而是工作在开关状态（饱和区）。当单片机管脚没有输出时，三极管工作在截止区，输出电流约等于0。

在制造三极管时，要把发射区的n型半导体电子浓度做的很大，基区p型半导体做的很薄，当基极的电压大于发射极电压（硅管要大0．7v，锗管要大0．3v）而小于集电极电压时，这时发射区的电子进入基区，进行复合，形成ie；但由于发射区的电子浓度很大，基区又很薄，电子就会穿过反向偏置的集电结到集电区的n型半导体里，形成ic；基区的空穴被复合后，基极的电压又会进行补给，形成ib。

当bjt的发射结和集电结均为反向偏置（vbe＜0，vbc＜0），只有很小的反向漏电流iebo和icbo分别流过两个结，故ib≈ 0，ic≈ 0，vce ≈ vcc，对应于下图中的a点。这时集电极回路中的c、e极之间近似于开路，相当于开关断开一样。bjt的这种工作状态称为截止。

当发射结和集电结均为正向偏置（vbe＞0，vbc＞0）时，调节rb，使ib＝vcc ／ rc，则bjt工作在上图中的c点，集电极电流ic已接近于最大值vcc ／ rc，由于ic受到rc的限制，它已不可能像放大区那样随着ib的增加而成比例地增加了，此时集电极电流达到饱和，对应的基极电流称为基极临界饱和电流ibs（ ），而集电极电流称为集电极饱和电流ics（vcc ／ rc）。此后，如果再增加基极电流，则饱和程度加深，但集电极电流基本上保持在ics不再增加，集电极电压vce＝vcc－icsrc＝vces＝2．0－0．3v。这个电压称为bjt的饱和压降，它也基本上不随ib增加而改变。由于vces很小，集电极回路中的c、e极之间近似于短路，相当于开关闭合一样。bjt的这种工作状态称为饱和。由于bjt饱和后管压降均为0．3v，而发射结偏压为0．7v，因此饱和后集电结为正向偏置，即bjt饱和时集电结和发射结均处于正向偏置，这是判断bjt工作在饱和状态的重要依据。下图示出了npn型bjt饱和时各电极电压的典型数据。

由此可见bjt相当于一个由基极电流所控制的无触点开关。三极管处于放大状态还是开关状态要看给三极管基极加的电流ib（偏流），随这个电流变化，三极管工作状态由截止－线性区－饱和状态变化而变。bjt截止时相当于开关“断开”，而饱和时相当于开关“闭合”。npn型bjt截止、放大、饱和三种工作状态的特点列于下表中。

结型场效应管（n沟道jfet）工作原理：

可将n沟道jfet看作带“开关”的水龙头。这就有三部分：进水、人工智能开关、出水，可以分别看成是jfet的 d极 、g 极、s极。

“人工”体现了开关的“控制”作用即vgs。jfet工作时，在栅极与源极之间需加一负电压（vgs＜0），使栅极、沟道间的pn结反偏，栅极电流ig≈0，场效应管呈现高达107ω以上的输入电阻。在漏极与源极之间加一正电压（vds＞0），使n沟道中的多数载流子（电子）在电场作用下由源极向漏极运动，形成电流id。id的大小受“人工开关”vgs的控制，vgs由零往负向增大时，pn结的耗尽层将加宽，导电沟道变窄，vgs绝对值越大则人工开关越接近于关上，流出的水（id）肯定越来越小了，当你把开关关到一定程度的时候水就不流了。

“智能”体现了开关的“影响”作用，当水龙头两端压力差（vds）越大时，则人工开关自动智能“生长”。vds值越大则人工开关生长越快，流水沟道越接近于关上，流出的水（id）肯定越小了，当人工开关生长到一定程度的时候水也就不流了。理论上，随着vds逐渐增加，一方面沟道电场强度加大，有利于漏极电流id增加；另一方面，有了vds，就在由源极经沟道到漏极组成的n型半导体区域中，产生了一个沿沟道的电位梯度。由于n沟道的电位从源端到漏端是逐渐升高的，所以在从源端到漏端的不同位置上，漏极与沟道之间的电位差是不相等的，离源极越远，电位差越大，加到该处pn结的反向电压也越大，耗尽层也越向n型半导体中心扩展，使靠近漏极处的导电沟道比靠近源极要窄，导电沟道呈楔形。所以形象地比喻为当水龙头两端压力差（vds）越大，则人工开关自动智能“生长”。

当开关第一次相碰时，就是预夹断状态，预夹断之后id趋于饱和。当vgs＞0时，将使pn结处于正向偏置而产生较大的栅流，破坏了它对漏极电流id的控制作用，即将人工开关拔出来，在开关处又加了一根进水水管，对水龙头就没有控制作用了。

可将n沟道mosfet看作带“人工智能开关”的水龙头。相对应情况同jfet。与jfet不同的的是，mosfet刚开始人工开关是关着的，水流流不出来。当在栅源之间加vgs＞0， n型感生沟道（反型层）产生后，人工开关逐渐打开，水流（id）也就越来越大。id的大小受“人工开关”vgs的控制，vgs由零往正向增大时，则栅极和p型硅片相当于以二氧化硅为介质的平板电容器，在正的栅源电压作用下，介质中便产生了一个垂直于半导体表面的由栅极指向p型衬底的电场，这个电场排斥空穴而吸引电子，p型衬底中的少子电子被吸引到衬底表面，这些电子在栅极附近的p型硅表面便形成了一个n型薄层，即导通源极和漏极间的n型导电沟道。栅源电压vgs越大则半导体表面的电场就越强，吸引到p型硅表面的电子就越多，感生沟道将越厚，沟道电阻将越小。相当于人工开关越接近于打开，流出的水（id）肯定越来越多了，当你把开关开到一定程度的时候水流就达到最大了。mosfet的“智能”性与jfet原理相同，参上。

基本上与n沟道jfet一样，只是当vgs＞0时，n沟道耗尽型mosfet由于绝缘层的存在，并不会产生pn结的正向电流，而是在沟道中感应出更多的负电荷，使人工智能开关的控制作用更明显。

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