逆变器工作原理简介|技术分享-尊龙凯时手机版
1.直流电可以通过震荡电路变为交流电
2.得到的交流电再通过线圈升压(这时得到的是方形波的交流电)
3.对得到的交流电进行整流得到正弦波
ac-dc就比较简单了 我们知道二极管有单向导电性,可以用二极管的这一特性连成一个电桥,让一端始终是流入的, 另一端始终是流出的,这就得到了电压正弦变化的直流电。 如果需要平滑的直流电还需要进行整流 简单的方法就是连接一个电容inverter是一种dc to ac的变压器,它其实与adapter是一种电压逆变的过程。adapter是将市电电网的交流电压转变为稳定的12v直流输出,而inverter是将adapter输出的12v直流电压转变为高频的高压交流电;两个部分同样都采用了目前用得比较多的脉宽调制(pwm)技术。其核心部分都是一个pwm集成控制器,adapter用的是uc3842,inverter则采用tl5001芯片。tl5001的工作电压范围3.6~40v,其内部设有一个误差放大器,一个调节器、振荡器、有死区控制的pwm发生器、低压保护回路及短路保护回路等。
以下将对inverter的工作原理进行简要介绍:
输入接口部分:
输入部分有3个信号,12v直流输入vin、工作使能电压enb及panel电流控制信号dim。vin由adapter提供,enb电压由主板上的mcu提供,其值为0或3v,当enb=0时,inverter不工作,而enb=3v时,inverter处于正常工作状态;而dim电压由主板提供,其变化范围在0~5v之间,将不同的dim值反馈给pwm控制器反馈端,inverter向负载提供的电流也将不同,dim值越小,inverter输出的电流就越大。
电压启动回路:
enb为高电平时,输出高压去点亮panel的背光灯灯管。
pwm控制器:
有以下几个功能组成:内部参考电压、误差放大器、振荡器和pwm、过压保护、欠压保护、短路保护、输出晶体管。
直流变换:
由mos开关管和储能电感组成电压变换电路,输入的脉冲经过推挽放大器放大后驱动mos管做开关动作,使得直流电压对电感进行充放电,这样电感的另一端就能得到交流电压。
lc振荡及输出回路:
保证灯管启动需要的1600v电压,并在灯管启动以后将电压降至800v。
输出电压反馈:
当负载工作时,反馈采样电压,起到稳定inventer电压输出的作用。
其实你可以想象一下了.都有那些电子元件需要正负极,电阻,电感一般不需要.二极管一般坏的可能就是被击穿只要电压正常一般是没有问题的,三极管的话是不会导通的.稳压管如果正负接反的话就会损坏了,但一般有的电路加了保护就是利用二极管的单向导通来保护.在就是电容了,电容里有正负之分的就是电解电容了,如果正负接反严重的话其外壳发生爆裂.
主要元件二极管.开关管振荡变压器.取样.调宽管.还有振荡回路电阻电容等参开关电路原理.
逆变器的主功率元件的选择至关重要,目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(bjt),功率场效应管(mosfet),绝缘栅晶体管(igbt)和可关 断晶闸管(gto)等,在小容量低压系统中使用较多的器件为mosfet,因为mosfet具有较低的通态压降和较高的开关频率,在高压大容量系统中一般 均采用igbt模块,这是因为mosfet随着电压的升高其通态电阻也随之增大,而igbt在中容量系统中占有较大的优势,而在特大容量(100kva以 上)系统中,一般均采用gto作为功率元件
大件:场效应管或igbt、变压器、电容、二极管、比较器以及3525之类的主控。交直交逆变还有整流滤波。
功率大小和精度,关系着电路的复杂程度。
可以看一下手机充电器,这就是一个小开关电源!
2.得到的交流电再通过线圈升压(这时得到的是方形波的交流电)
3.对得到的交流电进行整流得到正弦波
ac-dc就比较简单了 我们知道二极管有单向导电性,可以用二极管的这一特性连成一个电桥,让一端始终是流入的, 另一端始终是流出的,这就得到了电压正弦变化的直流电。 如果需要平滑的直流电还需要进行整流 简单的方法就是连接一个电容inverter是一种dc to ac的变压器,它其实与adapter是一种电压逆变的过程。adapter是将市电电网的交流电压转变为稳定的12v直流输出,而inverter是将adapter输出的12v直流电压转变为高频的高压交流电;两个部分同样都采用了目前用得比较多的脉宽调制(pwm)技术。其核心部分都是一个pwm集成控制器,adapter用的是uc3842,inverter则采用tl5001芯片。tl5001的工作电压范围3.6~40v,其内部设有一个误差放大器,一个调节器、振荡器、有死区控制的pwm发生器、低压保护回路及短路保护回路等。
以下将对inverter的工作原理进行简要介绍:
输入接口部分:
输入部分有3个信号,12v直流输入vin、工作使能电压enb及panel电流控制信号dim。vin由adapter提供,enb电压由主板上的mcu提供,其值为0或3v,当enb=0时,inverter不工作,而enb=3v时,inverter处于正常工作状态;而dim电压由主板提供,其变化范围在0~5v之间,将不同的dim值反馈给pwm控制器反馈端,inverter向负载提供的电流也将不同,dim值越小,inverter输出的电流就越大。
电压启动回路:
enb为高电平时,输出高压去点亮panel的背光灯灯管。
pwm控制器:
有以下几个功能组成:内部参考电压、误差放大器、振荡器和pwm、过压保护、欠压保护、短路保护、输出晶体管。
直流变换:
由mos开关管和储能电感组成电压变换电路,输入的脉冲经过推挽放大器放大后驱动mos管做开关动作,使得直流电压对电感进行充放电,这样电感的另一端就能得到交流电压。
lc振荡及输出回路:
保证灯管启动需要的1600v电压,并在灯管启动以后将电压降至800v。
输出电压反馈:
当负载工作时,反馈采样电压,起到稳定inventer电压输出的作用。
其实你可以想象一下了.都有那些电子元件需要正负极,电阻,电感一般不需要.二极管一般坏的可能就是被击穿只要电压正常一般是没有问题的,三极管的话是不会导通的.稳压管如果正负接反的话就会损坏了,但一般有的电路加了保护就是利用二极管的单向导通来保护.在就是电容了,电容里有正负之分的就是电解电容了,如果正负接反严重的话其外壳发生爆裂.
主要元件二极管.开关管振荡变压器.取样.调宽管.还有振荡回路电阻电容等参开关电路原理.
逆变器的主功率元件的选择至关重要,目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(bjt),功率场效应管(mosfet),绝缘栅晶体管(igbt)和可关 断晶闸管(gto)等,在小容量低压系统中使用较多的器件为mosfet,因为mosfet具有较低的通态压降和较高的开关频率,在高压大容量系统中一般 均采用igbt模块,这是因为mosfet随着电压的升高其通态电阻也随之增大,而igbt在中容量系统中占有较大的优势,而在特大容量(100kva以 上)系统中,一般均采用gto作为功率元件
大件:场效应管或igbt、变压器、电容、二极管、比较器以及3525之类的主控。交直交逆变还有整流滤波。
功率大小和精度,关系着电路的复杂程度。
可以看一下手机充电器,这就是一个小开关电源!
igbt(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率 mosfet的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输入阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时,各大半导体生产厂商不断开发igbt的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。
济南晶恒集团近两年推出了碳化硅肖特基二极管,以其优异的特性,正在被大功率逆变器厂家所选用,将对行业和产品的进步带来更多的选择。
下一篇:mosfet为什么容易被静电击穿
上一篇:二极管vf的测试和开尔文测法